Leistungshalbleiter und Ansteuerungen

Die Lehrveranstaltung wird auf Deutsch gehalten

Lernziel:

Verständnis der Zusammenhänge zwischen dem strukturellen Aufbau der Leistungshalbleiter-Bauelemente und ihren Betriebseigenschaften. Darauf aufbauend soll der Einfluss der zu schaltenden Last, der Ansteuerung und der Beschaltung auf das Betriebsverhalten der Leistungshalbleiter an Beispielen verdeutlicht werden.

Stoffplan:

• Wiederholung der Grundlagen der Halbleitertechnik
• p-s-n-Übergang
• Raumladungszone und Sperrverhalten; Sperrschichtkapazität
• Durchlassverhalten; Trägerspeichereffekt bei bipolaren Bauelementen
• Durchlassverhalten; Trägerspeichereffekt bei bipolaren Bauelementen; Zusammenhänge zwischen den geometrischen Parametern und den elektrischen Grenzdaten
• Dynamische Vorgänge beim Ein- und Abschalten
• Bipolartransistor
• Thyristor
• Aufbau von modernen MOSFETs und IGBTs
• Ansteuerung und Schaltverhalten von MOSFETs, IGBTs und IGCTs
• Integrierte Treiberschaltungen

Die Übung wird. z.T. von praktischen Experimenten begleitet.